El LANE cuenta con modernos microscopios electrónicos y de otros tipos para la caracterización de materiales, inclusive con resolución atómica. 

El microscopio electrónico Jeol ARM200F con corrector de aberración (Cs)  permite obtener imágenes en el modo de barrido por transmisión (HAADF-STEM) con una resolución de 0.8 Å (0.08 nm).

El microscopio de doble haz JEM-4501 cuenta con una columna de barrido (SEM) y una columna con cañón de iones de alto desempeño (FIB). 

El microscopio de barrido FE HRSEM Auriga 3916 está dotado con una columna GENIMI de emisión de campo tipo Schottky que trabaja en el rango de 0.1keV hasta 30keV y que alcanza una resolución de 1.0 nm @ 15 kV.

También se cuenta con un versátil microscopio JSPM-5200 para el estudio de superficies que combina microscopía de fuerza atómica (AFM), microscopía de barrido por tunelamiento (STM) y microscopía de fuerza magnética (MFM).

ANTECEDENTES

En 2010 se inician las tareas relacionadas con la creación de un laboratorio especializado en la investigación por microscopia electrónica de alta resolución de sistemas nanoestructurados para apoyar el desarrollo de proyectos de investigación y de nuevas tecnologías y contribuir a la vinculación academia - industria. Apoyados con el programa de Laboratorios Nacionales del Conacyt se establece el Laboratorio Avanzado de Nanoscopía Electrónica (LANE), el cuál es inaugurado el 23 de octubre de 2012 por el entonces Secretario de Educación Pública Dr. José Ángel Córdova Villalobos.